DB하이텍, 차세대 전력반도체(GaN) 공정 개발 완료…내달 시제품 제공

세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 차세대 전력반도체로 불리는 질화갈륨(GaN) 반도체 사업 철수를 선언한 이후 국내 중소 파운드리 기업인 SK키파운드리와 DB하이텍의 움직임이 빨라지고 있다. [DB하이텍 홈페이지]

[헤럴드경제=박지영 기자] 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍이 차세대 전력반도체로 꼽히는 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 완료했다고 밝혔다. 이에 회사는 오는 10월 말부터 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 제공할 계획이라고 11일 밝혔다.

GaN 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체 대비 고전압·고주파·고온 환경에 강하며 전력 효율이 높아 SiC(실리콘카바이드) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다.

특히 전기차, AI 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등 고성장 산업에서 수요가 빠르게 늘고 있다. 시장조사기관 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 시장은 2025년 5억3000만 달러에서 2029년 20억1300만 달러로, 연평균 약 40% 성장할 것으로 전망된다.

DB하이텍이 이번에 확보한 650V GaN HEMT 공정은 고속 스위칭과 안정성이 특징으로, 전기차 충전기·데이터센터 전력변환기·5G 통신 장비 등에 활용도가 높다.

회사는 2022년부터 GaN, SiC(실리콘카바이드) 등 화합물 반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 이어왔다.

DB하이텍 관계자는 “세계 최초로 0.18㎛ BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 경쟁력을 인정받았다”며 “GaN 공정 추가를 통해 전력반도체 파운드리 기업으로서의 경쟁력이 한층 강화될 것”이라고 말했다.

회사는 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로, 2026년 말까지 IC(집적회로) 형태로 설계 가능한 200V 및 650V GaN 공정을 순차 개발할 예정이다. 이후 고객 수요와 시장 상황에 맞춰 더 넓은 전압대로 공정을 확장할 계획이다.

생산 인프라 확충도 속도를 내고 있다. DB하이텍은 충북 음성 상우캠퍼스에 신규 클린룸을 증설 중으로, 완공 시 8인치 웨이퍼 기준 월 3만5000장 규모가 추가된다. 이에 따라 현재 월 15만4000장인 생산능력은 19만 장으로 23% 증가된다. 이 시설에서는 GaN뿐 아니라 BCDMOS, SiC 등도 함께 생산될 예정이다.

한편, DB하이텍은 9월 15~18일 부산 벡스코에서 열리는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가해 SiC, GaN, BCDMOS 등 자사의 최신 전력반도체 기술을 소개하고 업계 관계자들과 교류할 계획이다.