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인텔이 쏜 ‘2나노 대첩’…삼성·TSMC 속도전

삼성, 2나노 적용 AP 양산 단계
TSMC “2나노 공정, 앞당기겠다”

인텔이 최근 2나노 공정을 적용한 반도체 양산을 발표하면서 내년으로 예상됐던 이른바 ‘2나노 대첩’의 서막이 예정보다 빨리 열렸다는 평가가 나온다. 이에 반도체 공정 기술의 선두주자인 TSMC와 삼성전자도 공정 첨단화 작업에 속도를 올리고 있다.

21일 업계에 따르면 인텔은 9일 미국 애리조나에 있는 팹52(Fab 52) 공장이 완전 가동에 들어갔다. 이 공장은 인텔이 야심 차게 도입한 18A 공정이 적용된 곳이다. 18A는 반도체의 회선폭을 1.8㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)로 제조하는 첨단 제조공정이다. 현재 5나노 이하 파운드리(반도체 위탁생산) 양산은 세계에서 TSMC와 삼성전자만이 가능한데, 18A는 두 회사가 양산 중인 3나노보다 앞선 기술로 평가받는다.

인텔은 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언하고 18A와 14A 등 최첨단 공정을 위해 대규모 투자를 해왔다. 이에 삼성전자를 제치고 2030년까지 세계 2위 파운드리 업체가 되고 TSMC를 따라잡겠다는 목표를 밝힌 바 있다.

이런 가운데 웨이저자 TSMC 회장은 16일 실적발표회에서 “2나노 공정을 적용한 반도체 생산 계획을 당초보다 앞당기겠다”고 밝혔다. 미국 애리조나주에 구축 중인 반도체 생산 단지를 구축, 미국에서 2나노 반도체를 생산하겠다는 것이다. 이어 애리조나 공장 인근 토지를 매입해 제2공장을 건설하는 등 미국에 대한 투자를 증대하겠다고도 덧붙였다. 이는 인텔이 2나노를 적용한 반도체 양산 성공을 선언한지 일주일만에 나온 발표다.

삼성전자도 2나노 공정을 적용한 모바일 AP인 엑시노스2600 양산 단계에 접어들었다. 2나노 공정이 적용된 첫 상용 칩으로, 삼성은 내년 초 출시 예정인 갤럭시 26 시리즈 탑재를 공식화했다.

최근에는 ASML사의 최신형 극자외선(EUV) 노광장비인 ‘하이(High) 뉴메리컬어퍼처(NA) EVU’ 2대를 도입한 것으로도 알려졌다. 연구용이 아닌 양산용으로 NA-EUV 장비를 투입한 건 처음으로, 2나노 공정 기술을 실제 생산 라인에 적용할 준비가 완료된 것 아니냐는 추측이 나온다.

이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “2나노 공정으로 반도체를 양산한다는 건 파운드리 조직력을 한 단계 높인다는 것으로, 생각보다 속도가 빠르게 진행되는 상황이고 각 사별로 상당히 중요한 기로에 놓여있다고 볼 수 있다”며 “특히 삼성전자는 3나노에서 좋은 성과를 거두지 못한 만큼 2나노 공정에 명운이 걸려있는 상황”이라고 분석했다.

박지영 기자