‘HBM 다음은 HBF’ SK하이닉스, 차세대 AI 낸드 공략 라인업 공개

김천성 SK하이닉스 eSSD 제품 개발담당(부사장)이 지난 13~16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 글로벌 서밋’에 참석해 차세대 낸드 스토리지 제품 전략을 발표하고 있다. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김현일 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)와 유사한 구조의 고대역폭플래시(HBF) 등 차세대 낸드 스토리지(저장장치) 제품 라인업을 공개했다.

AI 추론 시장의 성장으로 수요가 확대되고 있는 고용량·고성능 낸드 제품을 앞세워 고객들에게 최적화된 설루션을 제시하겠다는 방침이다.

27일 SK하이닉스에 따르면 김천성 eSSD 제품 개발담당(부사장)은 지난 13~16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 글로벌 서밋’에 참석해 차세대 낸드 스토리지 제품 전략을 발표했다.

SK하이닉스는 데이터 처리속도와 저장용량을 극대화한 낸드 제품군들을 묶어 ‘AIN(AI-NAND) 패밀리’ 라인업이라는 이름으로 소개했다.

AIN P(Performance·성능)는 대규모 AI 추론환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리한다. AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 향상시키는 것이 특징이다. SK하이닉스는 현재 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계 중이며 내년 말 샘플을 출시할 계획이다.

AIN D(Density·용량)는 저전력·저비용으로 대용량 데이터를 저장하는데 초점을 맞춘 고용량 제품이다. 하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장하는 QLC 기반 TB(테라바이트)급 SSD보다 용량을 최대 PB(페타바이트)급으로 높이고, SSD의 속도와 HDD의 경제성을 동시에 구현한 중간 계층 스토리지를 목표로 하고 있다.

SK하이닉스가 지난 13~16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 글로벌 서밋’에서 발표하는 모습. [SK하이닉스 제공]

AIN B(Bandwidth·대역폭)는 낸드를 수직으로 쌓아 올리는 HBF 기술을 적용한 제품이다. 여러 개의 D램을 적층해 만든 HBM과 유사한 구조다. 이미 HBM으로 글로벌 최고 수준의 개발 역량을 입증한 SK하이닉스는 AI 추론 확대, 거대언어모델(LLM) 대형화에 따른 메모리 용량 부족을 해결하기 위해 일찍이 AIN B 연구에 착수했다.

SK하이닉스는 AIN B를 HBM과 함께 배치해 용량 문제를 보완하는 등 다양한 활용 방안을 검토하고 있다. AIN B 생태계 확대를 위해 지난 8월엔 미국 샌디스크와 HBF 표준화 양해각서(MOU)도 체결한 바 있다.

이번 OCP 행사 기간 중 샌디스크와 글로벌 빅테크 관계자들을 초청해 ‘HBF 나이트(Night)’도 열었다. 국내외 교수진의 패널 토의로 진행된 이날 행사에는 수십여 명의 반도체 및 시스템 설계 전문가들과 기술진들이 참석했다. SK하이닉스는 낸드 스토리지 제품 혁신을 가속화하기 위한 업계 차원의 협력을 제안했다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “차세대 낸드 스토리지에서도 고객과 다양한 파트너와 협력해 AI 메모리 시장의 핵심 플레이어로 올라설 수 있도록 할 것”이라고 전했다.