SAIT 등 연구진 34명 공동 저자로
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삼성전자 연구진이 차세대 초저전력 낸드플래시 기술의 핵심 작용 원리를 세계 최초로 규명하며 글로벌 학술지 ‘네이처(Nature)’에 연구 결과를 게재했다.
27일 삼성전자에 따르면 SAIT(삼성종합기술원)와 반도체연구소 소속 연구진 34명이 공동 저자로 참여한 ‘초저전력 낸드플래시를 위한 강유전체 트랜지스터(Ferroelectric transistors for low-power NAND flash memory)’라는 제목으로 네이처지에 게재되는 쾌거를 이뤘다. 특히 이번 연구는 기술적 완성도와 혁신성을 인정받았을 뿐 아니라 순수 사내 연구 개발 성과라는 점에서도 의미가 크다.
연구의 제1저자인 유시정 삼성전자 SAIT 연구원은 “후속 연구를 통해 상용화를 적극 추진하겠다”고 말했다. 박지영 기자
